Версия для слепых
СХЕМА ДЕМПФЕРА, СХЕМА ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ НАПРЯЖЕНИЯ И СПОСОБ В ТАКОЙ СХЕМЕ 
ДЕМПФЕРА
RU  99107760  A
СХЕМА ДЕМПФЕРА, СХЕМА ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ НАПРЯЖЕНИЯ И СПОСОБ В ТАКОЙ СХЕМЕ ДЕМПФЕРА
Заявка на изобретение
RU  99107760  A

СХЕМА ДЕМПФЕРА, СХЕМА ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ НАПРЯЖЕНИЯ И СПОСОБ В ТАКОЙ СХЕМЕ ДЕМПФЕРА

Заявка на изобретение

1. Схема демпфера для подключения к первому элементу связи (DF), выполненного с возможностью проводить или не проводить ток при воздействии, содержащая первую последовательную цепь, содержащую первый конденсатор (C1) и первый диод (D1), причем первая последовательная цепь присоединена параллельно первому элементу связи, отличающаяся тем, что содержит по меньшей мере, одну вторую последовательную цепь, соединенную параллельно с первой последовательной цепью и содержащую второй конденсатор (C2) и, по меньшей мере, один второй диод (D2), причем все конденсаторы образуют емкостную последовательную цепь, параллельную с первым элементом связи (DF), начинающуюся первым конденсатором (C1), при этом второй конденсатор (C2) присоединен к ближайшему предшествующему конденсатору в емкостной последовательной цепи через третий диод (D3) таким образом, что когда напряжение приложено к первому элементу связи (DF) и на этот первый элемент связи оказывается такое воздействие, что он становится непроводящим ток, конденсаторы (C1, C2) заряжаются последовательно, а когда затем этот первый элемент связи подвергается такому воздействию, что он становится проводящим ток, эти конденсаторы разряжаются параллельно, и этот первый элемент связи начинает проводить ток, как только конденсаторы будут полностью разряжены.

2. Схема демпфера по п.1, отличающаяся тем, что элемент связи (DF) имеет первый и второй выводы, причем первый диод (D1) присоединен ко второму выводу, а второй диод (D2) - к первому выводу. 3. Схема демпфера по п.2, отличающаяся тем, что первый диод (D1) присоединен ко второму выводу элемента связи через его катод, а второй диод (D2) - к первому выводу элемента связи через его анод. 4. Схема демпфера по любому из пп.1 - 3, отличающаяся тем, что содержит по меньшей мере, одну третью последовательную цепь, параллельную с первым элементом связи (DF), и содержащую третий конденсатор (C3), подключенный между четвертым диодом (D4) и пятым диодом (D5), причем третий конденсатор подключен, в емкостной последовательной цепи, между первым и вторым конденсаторами (C1, C2) и к ближайшему предшествующему конденсатору через шестой диод (D6). 5. Схема демпфера по любому из пп.1 - 4, отличающаяся тем, что первый элемент связи (DF) проводит ток только от первого ко второму выводу. 6. Схема демпфера по любому из пп.1 - 5, отличающаяся тем, что первый элемент связи (DF) входит в схему преобразователя напряжения. 7. Схема демпфера по любому из пп.1 - 6, отличающаяся тем, что первый элемент связи (DF) является диодом, присоединенным ко вторичной обмотке трансформатора (TR1) в схеме преобразователя напряжения обратного хода. 8. Схема преобразователя напряжения, содержащая первый элемент связи (DF), выполненный с возможностью проводить или не проводить ток при воздействии, и к которому присоединена схема демпфера, причем схема демпфера содержит первую последовательную цепь, содержащую первый конденсатор (C1) и первый диод (D1), при этом первая последовательная цепь соединена параллельно с первым элементом связи, отличающаяся тем, что содержит по меньшей мере, одну вторую последовательную цепь, соединенную параллельно с первой последовательной цепью и содержащую второй конденсатор (C2) и, по меньшей мере, второй диод (D2), причем все конденсаторы в схеме демпфера образуют емкостную последовательную цепь, параллельную с первым элементом связи (DF), начинающуюся первым конденсатором (C1), при этом второй конденсатор (C2) присоединен к ближайшему предшественнику конденсатору в емкостной последовательной цепи через третий диод (D3) таким образом, что когда напряжение приложено к первому элементу связи (DF) и на этот первый элемент связи оказывается такое воздействие, что он становится непроводящим ток, конденсаторы (C1, C2) заряжаются последовательно, а когда затем этот первый элемент связи подвергается такому воздействию, что он становится проводящим ток, эти конденсаторы разряжаются параллельно, и этот первый элемент связи начинает проводить ток, как только конденсаторы будут полностью разряжены. 9. Схема преобразователя напряжения по п.8, отличающаяся тем, что схема преобразователя напряжения является схемой преобразователя напряжения обратного хода, содержащей трансформатор (TR1), а первый элемент связи (DF) является диодом, присоединенным ко вторичной обмотке этого трансформатора. 10. Схема преобразователя напряжения по любому из пп.8 или 9, отличающаяся тем, что содержит второй элемент связи (SW1), присоединенный к первому элементу связи через первичную обмотку трансформатора (TR1). 11. Способ уменьшения напряжений переходного процесса, присутствующих на первом элементе связи (DF), возникающих, когда на первый элемент связи оказывают воздействие, делающее его проводящим ток, причем первый элемент связи выполнен с возможностью проводить или не проводить ток при воздействии, отличающийся тем, что заряжают последовательно, по меньшей мере, два конденсатора (C1,C2) напряжением, приложенным к первому элементу связи, когда на этот первый элемент связи оказывают такое воздействие, что он становится непроводящим ток, и разряжают эти конденсаторы параллельно, когда на первый элемент связи впоследствии оказывают такое воздействие, что он становится проводящим ток, таким образом, что первый элемент связи начинает проводить ток, когда эти конденсаторы будут полностью разряжены. 12. Способ по п.11, отличающийся тем, что первый вывод первого элемента связи (DF) имеет потенциал напряжения (V1), изменяющийся между первым низким уровнем (VL) и вторым высоким уровнем (VH), второй вывод первого элемента связи имеет потенциал напряжения (Vut), равный высокому уровню напряжения (VH) или слегка ниже его, напряжение, приложенное к первому элементу связи, равно потенциалу напряжения на втором выводе минус потенциал напряжения на первом выводе, при этом первый элемент связи проводит ток в направлении от первого ко второму выводу, а конденсаторы разряжают в том же направлении, в котором первый элемент связи проводит ток. 13. Способ по п.12, отличающийся тем, что последовательный заряд осуществляют путем заряда конденсаторов (C1,C2) до равных уровней напряжения, а параллельный разряд осуществляют путем начала разряда по существу в одно и то же время для всех конденсаторов, когда потенциал напряжения (VH) на первом выводе первого элемента связи, добавленный к напряжению на любом из конденсаторов, по существу равен потенциалу напряжения на другом выводе (Vut). 14. Способ по п.12, отличающийся тем, что последовательный заряд осуществляют путем заряда, по меньшей мере, одного первого конденсатора до уровня напряжения более высокого, чем уровни напряжения на других конденсаторах, а параллельный разряд осуществляют сначала путем разряда упомянутого первого конденсатора или конденсаторов, когда потенциал напряжения на первом выводе первого элемента связи, добавленный к напряжению на первом конденсаторе или конденсаторах, по существу равен потенциалу напряжения на другом выводе, пока напряжение на нем или на них не упадет до уровня напряжения, равного таковому на, по меньшей мере, одном из конденсаторов, после чего первый и второй конденсаторы разряжают параллельно друг с другом. 15. Способ по п.12, отличающийся тем, что изменения напряжения на первом выводе первого элемента связи (DF) обеспечивают изменением напряжения импульсной формы (Vsw1), формулируемым управляемым вторым элементом связи (SW1), которое трансформируют.

Читать реферат полностью Скрыть реферат

Детальная информация

Код документа в НЭБ
000224_000128_0099107760_20010210_A_RU
Заявитель(и)
ТЕЛЕФОНАКТИЕБОЛАГЕТ ЛМ ЭРИКССОН (пабл) (SE)
Патентообладатель(и)
МПК
H02M 3/335, H 03K 17/08
Вид документа
Заявка на изобретение
Название
СХЕМА ДЕМПФЕРА, СХЕМА ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ НАПРЯЖЕНИЯ И СПОСОБ В ТАКОЙ СХЕМЕ ДЕМПФЕРА
Страна
РОССИЯ
Дата публикации
2001-02-10
Язык
Русский

Другие документы из источника "Федеральный институт промышленной собственности, отделение ВПТБ"

Сорокин Виталий Викторович (RU), Константинова Екатерина Андреевна (RU), Бурыгин Геннадий Леонидович (RU), Мещерякова Анна Аркадьевна (RU), Борисова Светлана Васильевна (RU)
1'-(2,3,4-ТРИМЕТОКСИФЕНИЛ)-2-ОКСО-5',6',7',7a'-ТЕТРАГИДРОСПИРО[ИНДОЛИН-3,3'-ПИРРОЛИЗИН]-2',2'(1'H)-ДИКАРБОНИТРИЛ, ОБЛАДАЮЩИЙ АНТИМИКРОБНЫМИ СВОЙСТВАМИ
РОССИЯ, 2025
Федеральный институт промышленной собственности, отделение ВПТБ
Сорокин Виталий Викторович (RU), Константинова Екатерина Андреевна (RU), Бурыгин Геннадий Леонидович (RU), Мещерякова Анна Аркадьевна (RU), Борисова Светлана Васильевна (RU)
1'-(2,3,4-ТРИМЕТОКСИФЕНИЛ)-2-ОКСО-5',6',7',7a'-ТЕТРАГИДРОСПИРО[ИНДОЛИН-3,3'-ПИРРОЛИЗИН]-2',2'(1'H)-ДИКАРБОНИТРИЛ, ОБЛАДАЮЩИЙ АНТИМИКРОБНЫМИ СВОЙСТВАМИ
РОССИЯ, 2025
Федеральный институт промышленной собственности, отделение ВПТБ
Ковалев Игорь Сергеевич (RU), Тания Ольга Сергеевна (RU), Копчук Дмитрий Сергеевич (RU), Глебов Никита Сергеевич (RU), Зырянов Григорий Васильевич (RU), Валиева Мария Игоревна (RU), Чупахин Олег Николаевич (RU), Егоров Илья Николаевич (RU), Платонов Вадим Александрович (RU)
(R)-(6-МЕТОКСИХИНОЛИН-4-ИЛ)((1S,2S,4S,5R)-5-ВИНИЛХИНУКЛИДИН-2-ИЛ)МЕТИЛ-(S)-2-(6-МЕТОКСИНАФТАЛИН-2-ИЛ)ПРОПИОНАТ − МОНОМОЛЕКУЛЯРНЫЙ ХИМИЧЕСКИЙ СЕНСОР НА ПИКРИНОВУЮ КИСЛОТУ
РОССИЯ, 2025
Федеральный институт промышленной собственности, отделение ВПТБ
Шубин Николай Евгеньевич (RU), Шубин Александр Николаевич (RU), Гордеев Алексей Сергеевич (RU)
(Мет)акриловый полимербетон
РОССИЯ, 2025
Федеральный институт промышленной собственности, отделение ВПТБ
Ковалев Игорь Сергеевич (RU), Копчук Дмитрий Сергеевич (RU), Глебов Никита Сергеевич (RU), Зырянов Григорий Васильевич (RU), Хасанов Альберт Фаридович (RU), Чупахин Олег Николаевич (RU), Платонов Вадим Александрович (RU)
((2-(5,6-БИС(4-ФТОРФЕНИЛ)-1,2,4-ТРИАЗИН-3-ИЛ)ХИНОЛИН)БИС(2-ФЕНИЛПИРИДИН))ИРИДИЙ(III) ХЛОРИД - КЛЕТОЧНЫЙ ФЛУОРЕСЦЕНТНЫЙ КРАСИТЕЛЬ
РОССИЯ, 2025
Федеральный институт промышленной собственности, отделение ВПТБ

Посмотреть все документы источника "Федеральный институт промышленной собственности, отделение ВПТБ"

Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « СХЕМА ДЕМПФЕРА, СХЕМА ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ НАПРЯЖЕНИЯ И СПОСОБ В ТАКОЙ СХЕМЕ ДЕМПФЕРА » , автор — АССОВ Бенгт (SE). Документ был опубликован в 2001 году. Место издания — РОССИЯ. Документ размещен в каталоге НЭБ 2001-02-10 поступления в рубрике: Заявка на изобретение. Электронный ресурс – электронная копия документа предоставлена в НЭБ библиотекой "Федеральный институт промышленной собственности, отделение ВПТБ". Фонд библиотеки расположен по адресу: 125993, Бережковская набережная, ул. 24, к.1. На сайте rusneb.ru Вы можете читать онлайн оцифрованную версию документа « СХЕМА ДЕМПФЕРА, СХЕМА ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ НАПРЯЖЕНИЯ И СПОСОБ В ТАКОЙ СХЕМЕ ДЕМПФЕРА » в удобной системе просмотра документов. Документ также доступен для скачивания в форматах: pdf.
Вы находитесь на новой версии портала Национальной Электронной Библиотеки. Если вы хотите воспользоваться старой версией, перейдите по ссылке .