LDR
01161nam a22002657c 4500
008
221208s2022 ru ||||| |||| 00| 0 rus d
017
##
$a: АР-П-22-008337
$b: RuMoRKP
040
##
$a: RuMoBEN
$b: rus
$e: rcr
080
##
$2: udk
$a: 621.3.049.77:535.374(043.3)
080
##
$2: udk
$a: 621.315.592:537.86:530.145]:043(043.3)
100
##
$a: Галиев, Рамзиль Раушанович
245
##
$a: Оптимизация режима затягивания частоты полупроводникового лазера высокодобротным микрорезонатором :
$b: автореферат диссертации ... кандидата физико-математических наук : 1.3.2
$c: Галиев Рамзиль Раушанович
504
##
$a: Библиогр.: с. 26-27
504
##
$a: Список работ Р. Р. Галиева: с. 24-25
856
11
$q: application/pdf
$u: https://viewer.benran.ru/ru/ben01001834173
Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Оптимизация режима затягивания частоты полупроводникового лазера высокодобротным микрорезонатором : : автореферат диссертации ... кандидата физико-математических наук : 1.3.2 » , автор — Галиев Р.Р.. Документ был опубликован в 2022 году. Место издания — Москва. Электронный ресурс – электронная копия документа предоставлена в НЭБ библиотекой "Библиотека по естественным наукам Российской академии наук (БЕН РАН)". Фонд библиотеки расположен по адресу: 119991, Москва, ул. Знаменка, д. 11/11. На сайте rusneb.ru Вы можете читать онлайн оцифрованную версию документа « Оптимизация режима затягивания частоты полупроводникового лазера высокодобротным микрорезонатором : : автореферат диссертации ... кандидата физико-математических наук : 1.3.2 » в удобной системе просмотра документов. Документ также доступен для скачивания в форматах: pdf, mrc.