LDR
00976nab a2200265 c 4500
008
231124s1982 ru |||p|||||||||||||rus d
035
##
$a: (ELAR) [2023] 5027
245
1#
$a: Наблюдение выделении на "ростовых" дислокациях в монокристаллах GaAs с невысоким содержанием примеси
$c: Марков А.В., Шифрин С.С., Моргулис Л.М.
773
##
$7: nnas
$t: Кристаллография. 1982. Том 27, вып. 5
$g: с. 1031-1033
$w: 000464468
856
11
$q: application/pdf
$u: https://viewer.benran.ru/ru/ben01002184096
Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Кристаллография. 1982. Том 27, вып. 5 Наблюдение выделении на "ростовых" дислокациях в монокристаллах GaAs с невысоким содержанием примеси » , автор — Марков А.В.. Электронный ресурс – электронная копия документа предоставлена в НЭБ библиотекой "Библиотека по естественным наукам Российской академии наук (БЕН РАН)". Фонд библиотеки расположен по адресу: 119991, Москва, ул. Знаменка, д. 11/11. На сайте rusneb.ru Вы можете читать онлайн оцифрованную версию документа « Кристаллография. 1982. Том 27, вып. 5 Наблюдение выделении на "ростовых" дислокациях в монокристаллах GaAs с невысоким содержанием примеси » в удобной системе просмотра документов.