Электрохимия. 1992. Том 28, вып. 3 Разрыв связей C-Hal в 1,2-дигалогензамещенных этанах в результате присоединения электронов. Расчеты методом MNDO поверхностей потенциальной энергии для реакций распада 1,2-дигалогенэтанов
Электрохимия. 1992. Том 28, вып. 3 Разрыв связей C-Hal в 1,2-дигалогензамещенных этанах в результате присоединения электронов. Расчеты методом MNDO поверхностей потенциальной энергии для реакций распада 1,2-дигалогенэтанов
Библиографическое описание
Скопировать
Тихомиров, В.А.. Электрохимия. 1992. Том 28, вып. 3. Разрыв связей C-Hal в 1,2-дигалогензамещенных этанах в результате присоединения электронов. Расчеты методом MNDO поверхностей потенциальной энергии для реакций распада 1,2-дигалогенэтанов / Тихомиров В.А., Герман Э.Д.. — с. 360-367.
Детальная информация
Код документа в НЭБ
005894_000147_002210904
Каталог
Автор(ы)
Заглавие
Электрохимия. 1992. Том 28, вып. 3 Разрыв связей C-Hal в 1,2-дигалогензамещенных этанах в результате присоединения электронов. Расчеты методом MNDO поверхностей потенциальной энергии для реакций распада 1,2-дигалогенэтанов
Объем
с. 360-367
Ответственность
Тихомиров В.А., Герман Э.Д.
LDR
01089nab a2200253 c 4500
001
002210904
003
RuMoBEN
005
20240514120223.0
008
231124s1992 ru |||p|||||||||||||rus d
035
##
$a: (ELAR) [2023] 14729
$a: (ELAR) [2023] 14729
040
##
$a: RuMoBEN
$b: rus
$a: RuMoBEN
$b: rus
041
##
$a: rus
$a: rus
044
##
$a: ru
$a: ru
080
##
$a: 541.124.7:541.138:547.412.2
$2: ruudk
$a: 541.124.7:541.138:547.412.2
$2: ruudk
100
1#
$a: Тихомиров, В.А.
$a: Тихомиров, В.А.
700
1#
$a: Герман, Э.Д.
$a: Герман, Э.Д.
245
1#
$a: Разрыв связей C-Hal в 1,2-дигалогензамещенных этанах в результате присоединения электронов. Расчеты методом MNDO поверхностей потенциальной энергии для реакций распада 1,2-дигалогенэтанов
$c: Тихомиров В.А., Герман Э.Д.
$a: Разрыв связей C-Hal в 1,2-дигалогензамещенных этанах в результате присоединения электронов. Расчеты методом MNDO поверхностей потенциальной энергии для реакций распада 1,2-дигалогенэтанов
$c: Тихомиров В.А., Герман Э.Д.
300
##
$a: с. 360-367
$a: с. 360-367
773
##
$7: nnas
$t: Электрохимия. 1992. Том 28, вып. 3
$g: с. 360-367
$w: 000588209
$7: nnas
$t: Электрохимия. 1992. Том 28, вып. 3
$g: с. 360-367
$w: 000588209
850
##
$a: RuMoBEN
$a: RuMoBEN
856
11
$q: application/pdf
$u: https://viewer.benran.ru/ru/ben01002210904
$q: application/pdf
$u: https://viewer.benran.ru/ru/ben01002210904
Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Электрохимия. 1992. Том 28, вып. 3 Разрыв связей C-Hal в 1,2-дигалогензамещенных этанах в результате присоединения электронов. Расчеты методом MNDO поверхностей потенциальной энергии для реакций распада 1,2-дигалогенэтанов » , автор — Тихомиров В.А.. Электронный ресурс – электронная копия документа предоставлена в НЭБ библиотекой "Библиотека по естественным наукам Российской академии наук (БЕН РАН)". Фонд библиотеки расположен по адресу: 119991, Москва, ул. Знаменка, д. 11/11. На сайте rusneb.ru Вы можете читать онлайн оцифрованную версию документа « Электрохимия. 1992. Том 28, вып. 3 Разрыв связей C-Hal в 1,2-дигалогензамещенных этанах в результате присоединения электронов. Расчеты методом MNDO поверхностей потенциальной энергии для реакций распада 1,2-дигалогенэтанов » в удобной системе просмотра документов.