Физические основы технологии гетероструктур для мощных полупроводниковых лазеров с большим сроком службы
Молекуляр.-пучковая эпитаксия в системе AlGaAs : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Молекуляр.-пучковая эпитаксия в системе AlGaAs : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Санкт-Петербург, 1994
Физические основы технологии гетероструктур для мощных полупроводниковых лазеров с большим сроком службы
Молекуляр.-пучковая эпитаксия в системе AlGaAs : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Санкт-Петербург, 1994
Библиографическое описание
Скопировать
Фокин, Георгий Анатольевич. Физические основы технологии гетероструктур для мощных полупроводниковых лазеров с большим сроком службы : Молекуляр.-пучковая эпитаксия в системе AlGaAs : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. — Санкт-Петербург, 1994. — 116 с. : ил..
Детальная информация
Код документа в НЭБ
000199_000009_000187589
Каталог
Автор(ы)
Заглавие
Физические основы технологии гетероструктур для мощных полупроводниковых лазеров с большим сроком службы : Молекуляр.-пучковая эпитаксия в системе AlGaAs : диссертация . кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Место издания
Санкт-Петербург
Год издания
1994
Объем
116 с.
ББК
В379.271.5,03, з86-531.8-030.8,0
Язык
Русский
Еще
Библиотека
LDR
01342nam a2200277 i 4500
001
000187589
003
RuMoRGB
005
20180125111311.0
008
981015s1994 ru |||| m |00 u rus d
017
##
$a: д6191-94
$b: RuMoRGB
$a: д6191-94
$b: RuMoRGB
035
##
$a: (RuMoRGB)DIS-0379433
$a: (RuMoRGB)DIS-0379433
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
041
##
$a: rus
$a: rus
072
#1
$a: 01.04.10
$2: nsnr
$a: 01.04.10
$2: nsnr
084
##
$a: В379.271.5,03
$2: rubbk
$a: В379.271.5,03
$2: rubbk
084
##
$a: з86-531.8-030.8,0
$2: rubbk
$a: з86-531.8-030.8,0
$2: rubbk
100
1#
$a: Фокин, Георгий Анатольевич
$a: Фокин, Георгий Анатольевич
245
##
$a: Физические основы технологии гетероструктур для мощных полупроводниковых лазеров с большим сроком службы :
$b: Молекуляр.-пучковая эпитаксия в системе AlGaAs : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
$a: Физические основы технологии гетероструктур для мощных полупроводниковых лазеров с большим сроком службы :
$b: Молекуляр.-пучковая эпитаксия в системе AlGaAs : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
260
##
$a: Санкт-Петербург
$c: 1994
$a: Санкт-Петербург
$c: 1994
300
##
$a: 116 с.
$b: ил.
$a: 116 с.
$b: ил.
504
##
$a: Библиогр.: с. 102-113
$a: Библиогр.: с. 102-113
650
#1
$a: Физика полупроводников и диэлектриков
$2: nsnr
$a: Физика полупроводников и диэлектриков
$2: nsnr
787
11
$w: 000765566
$i: Автореферат
$w: 000765566
$i: Автореферат
852
1#
$a: РГБ
$b: OD
$c: HL02
$j: 61 94-1/593
$x: 39
$a: РГБ
$b: OD
$c: HL02
$j: 61 94-1/593
$x: 39
LKR
##
$a: PAR
$l: RSL01
$b: 000765566
$m: Диссертация
$n: Автореферат
$a: PAR
$l: RSL01
$b: 000765566
$m: Диссертация
$n: Автореферат
Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Физические основы технологии гетероструктур для мощных полупроводниковых лазеров с большим сроком службы : Молекуляр.-пучковая эпитаксия в системе AlGaAs : диссертация . кандидата физико-математических наук : 01.04.10 » , автор — Фокин Г.А.. Документ был опубликован в 1994 году. Место издания — Санкт-Петербург. Информация о документе предоставлена в НЭБ библиотекой "Российская государственная библиотека". Фонд библиотеки расположен по адресу: 119019, Москва, ул. Воздвиженка, 3/5.