Молекулярно лучевая эпитаксия соединений A II B VI на подложках GaAs(112)B и GaAs(310) : : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07
Молекулярно лучевая эпитаксия соединений A II B VI на подложках GaAs(112)B и GaAs(310) : : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07
Новосибирск
Место издания
2003
Год издания
Описание документа
Код документа в НЭБ
000199_000009_002328959
Каталог
Автор
Якушев М.В.
Заглавие
Молекулярно лучевая эпитаксия соединений A II B VI на подложках GaAs(112)B и GaAs(310) : : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07
Место издания
Новосибирск
Год издания
2003
Объем
17 с.
Ответственность
Ин-т физики полупроводников СО РАН
ББК
В379.251.4-6,03
Язык
Русский
Еще
Библиотека
017
##
$a: 03-4227А
$b: RuMoRKP
$a: 03-4227А
$b: RuMoRKP
035
##
$a: (RuMoRGB)DIS-0517772
$a: (RuMoRGB)DIS-0517772
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
041
##
$a: rus
$a: rus
072
#1
$a: 01.04.07
$2: nsnr
$a: 01.04.07
$2: nsnr
084
##
$a: В379.251.4-6,03
$2: rubbk
$a: В379.251.4-6,03
$2: rubbk
100
1#
$a: Якушев, Максим Витальевич
$a: Якушев, Максим Витальевич
245
##
$a: Молекулярно лучевая эпитаксия соединений A II B VI на подложках GaAs(112)B и GaAs(310) :
$b: автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07
$c: Ин-т физики полупроводников СО РАН
$a: Молекулярно лучевая эпитаксия соединений A II B VI на подложках GaAs(112)B и GaAs(310) :
$b: автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07
$c: Ин-т физики полупроводников СО РАН
260
##
$a: Новосибирск
$c: 2003
$a: Новосибирск
$c: 2003
300
##
$a: 17 с.
$a: 17 с.
650
#1
$a: Физико-математические науки -- Физика -- Физика твердого тела. Кристаллография -- Физика полупроводников -- Термодинамика полупроводников. Тепловые свойства полупроводников. Кинетические явления в полупроводниках -- Фазовые равновесия. Фазовые превращения -- Кристаллизация -- Тонкие слои
$2: rubbk
$a: Физико-математические науки -- Физика -- Физика твердого тела. Кристаллография -- Физика полупроводников -- Термодинамика полупроводников. Тепловые свойства полупроводников. Кинетические явления в полупроводниках -- Фазовые равновесия. Фазовые превращения -- Кристаллизация -- Тонкие слои
$2: rubbk
650
#1
$a: Физика конденсированного состояния
$2: nsnr
$a: Физика конденсированного состояния
$2: nsnr
720
1#
$a: Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук
$a: Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук
787
11
$w: 002333996
$i: Диссертация
$w: 002333996
$i: Диссертация
852
1#
$a: РГБ
$b: FB
$c: D13N
$j: 9 03-3/3320-0
$x: 90
$a: РГБ
$b: FB
$c: D13N
$j: 9 03-3/3320-0
$x: 90
852
1#
$a: РГБ
$b: FB
$c: T026
$j: 9 03-3/3321-9
$x: 82
$a: РГБ
$b: FB
$c: T026
$j: 9 03-3/3321-9
$x: 82
979
##
$a: autoref
$b: Каталог авторефератов диссертаций
$c: rgb
$a: autoref
$b: Каталог авторефератов диссертаций
$c: rgb