Гетероэпитаксия ZnTe, CdTe и твердых растворов CdHgTe на подложках GaAs и Si : : автореферат дис. ... доктора физико-математических наук : 01.04.10
Гетероэпитаксия ZnTe, CdTe и твердых растворов CdHgTe на подложках GaAs и Si : : автореферат дис. ... доктора физико-математических наук : 01.04.10
Новосибирск
Место издания
2011
Год издания
Описание документа
Код документа в НЭБ
000199_000009_004853298
Каталог
Автор
Якушев М.В.
Заглавие
Гетероэпитаксия ZnTe, CdTe и твердых растворов CdHgTe на подложках GaAs и Si : : автореферат дис. ... доктора физико-математических наук : 01.04.10
Место издания
Новосибирск
Год издания
2011
Объем
40 с.
Ответственность
Якушев Максим Витальевич; [Место защиты: Ин-т физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН]
ББК
В375.14,03, З996-52,0
Ключевые слова
гетероэпитаксия
Библиотека
Портал НЭБ предлагает вам скачать или читать онлайн диссертацию (автореферат) на тему «Гетероэпитаксия ZnTe, CdTe и твердых растворов CdHgTe на подложках GaAs и Si : : автореферат дис. .. доктора физико-математических наук : 01.04.10» ББК:В375.14,03, З996-52,0, автора Якушев М.В. Документ был издан в 2011 году. Содержит 40 с.
Выражаем благодарность библиотеке «Российская государственная библиотека (РГБ)» за предоставленный материал.
017
##
$a: 11-16743А
$b: RuMoRKP
$a: 11-16743А
$b: RuMoRKP
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
041
##
$a: rus
$a: rus
072
#1
$a: 01.04.10
$2: nsnr
$a: 01.04.10
$2: nsnr
084
##
$a: В375.14,03
$2: rubbk
$a: В375.14,03
$2: rubbk
084
##
$a: З996-52,0
$2: rubbk
$a: З996-52,0
$2: rubbk
100
1#
$a: Якушев, Максим Витальевич
$a: Якушев, Максим Витальевич
245
##
$a: Гетероэпитаксия ZnTe, CdTe и твердых растворов CdHgTe на подложках GaAs и Si :
$b: автореферат дис. ... доктора физико-математических наук : 01.04.10
$c: Якушев Максим Витальевич; [Место защиты: Ин-т физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН]
$a: Гетероэпитаксия ZnTe, CdTe и твердых растворов CdHgTe на подложках GaAs и Si :
$b: автореферат дис. ... доктора физико-математических наук : 01.04.10
$c: Якушев Максим Витальевич; [Место защиты: Ин-т физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН]
260
##
$a: Новосибирск
$c: 2011
$a: Новосибирск
$c: 2011
300
##
$a: 40 с.
$a: 40 с.
650
#1
$a: Физико-математические науки -- Физика -- Физика твердого тела. Кристаллография -- Термодинамика твердых тел. Тепловые свойства твердых тел. Кинетические явления (явления переноса) в твердых телах -- Фазовые равновесия. Фазовые превращения -- Отвердевание. Кристаллизиция. Рост кристаллов
$2: rubbk
$a: Физико-математические науки -- Физика -- Физика твердого тела. Кристаллография -- Термодинамика твердых тел. Тепловые свойства твердых тел. Кинетические явления (явления переноса) в твердых телах -- Фазовые равновесия. Фазовые превращения -- Отвердевание. Кристаллизиция. Рост кристаллов
$2: rubbk
650
#1
$a: Инфракрасная техника -- Аппаратура -- Приемники инфракрасных излучений
$a: Инфракрасная техника -- Аппаратура -- Приемники инфракрасных излучений
653
##
$a: гетероэпитаксия
$a: гетероэпитаксия
720
1#
$a: Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
$a: Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
787
11
$w: 005088024
$i: Диссертация
$w: 005088024
$i: Диссертация
852
##
$a: РГБ
$b: FB
$j: 9 11-4/2707
$x: 90
$a: РГБ
$b: FB
$j: 9 11-4/2707
$x: 90
856
11
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01004000000/rsl01004853000/rsl01004853298/rsl01004853298.pdf
$y: Читать
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01004000000/rsl01004853000/rsl01004853298/rsl01004853298.pdf
$y: Читать
977
##
$a: dlopen
$b: dlrgb
$c: osk
$d: Отдел сканирования
$a: dlopen
$b: dlrgb
$c: osk
$d: Отдел сканирования
979
##
$a: autoref
$b: Каталог авторефератов диссертаций
$c: rgb
$a: autoref
$b: Каталог авторефератов диссертаций
$c: rgb
979
##
$a: dlopen
$a: dlopen