Полупроводниковые слои и гетероструктуры на основе халькогенидов цинка, кадмия и бериллия, формируемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии : : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Полупроводниковые слои и гетероструктуры на основе халькогенидов цинка, кадмия и бериллия, формируемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии : : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Полупроводниковые слои и гетероструктуры на основе халькогенидов цинка, кадмия и бериллия, формируемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии : : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
## $a: Полупроводниковые слои и гетероструктуры на основе халькогенидов цинка, кадмия и бериллия, формируемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии : $b: автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 $c: Физико-технич. ин-т им. А. Ф. Иоффе РАН