Комплексная характеризация кристаллов CdTe и GaAs для создания технологии полупроводниковых детекторов рентгеновского и гамма излучений
Комплексная характеризация кристаллов CdTe и GaAs для создания технологии полупроводниковых детекторов рентгеновского и гамма излучений
Год издания
Москва
Место издания
О произведении
Ответственность
Ин-т кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН
Библиотека
Российская государственная библиотека (РГБ)
Еще
Другие издания
Портал НЭБ предлагает вам скачать или читать онлайн диссертацию (автореферат) на тему «Комплексная характеризация кристаллов CdTe и GaAs для создания технологии полупроводниковых детекторов рентгеновского и гамма излучений» , автора Артёмов Владимир Викторович Документ был издан в 2005 году.
Выражаем благодарность библиотеке «Российская государственная библиотека (РГБ)» за предоставленный материал.