Версия для слепых
Моделирование коллективных возбуждений и основного состояния низкоразмерных систем : : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.02
Моделирование коллективных возбуждений и основного состояния низкоразмерных систем : : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.02

Моделирование коллективных возбуждений и основного состояния низкоразмерных систем : : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.02

Москва
Место издания
Год издания

Описание документа

Код документа в НЭБ
000199_000009_005052967
Автор
Воронова Н.С.
Заглавие
Моделирование коллективных возбуждений и основного состояния низкоразмерных систем : : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.02
Место издания
Москва
Год издания
2012
Объем
26 с.
Ответственность
Воронова Нина Сергеевна; [Место защиты: Ин-т спектроскопии РАН]
ББК
В379.222.42,03

Портал НЭБ предлагает вам скачать или читать онлайн диссертацию (автореферат) на тему «Моделирование коллективных возбуждений и основного состояния низкоразмерных систем : : автореферат дис. .. кандидата физико-математических наук : 01.04.02» ББК:В379.222.42,03, автора Воронова Н.С. Документ был издан в 2012 году. Содержит 26 с.

Выражаем благодарность библиотеке «Российская государственная библиотека (РГБ)» за предоставленный материал.

MARC-запись (MARC21)

017
##
$a: 12-20373А
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
041
##
$a: rus
072
#1
$a: 01.04.02
$2: nsnr
084
##
$a: В379.222.42,03
$2: rubbk
100
1#
$a: Воронова, Нина Сергеевна
245
##
$a: Моделирование коллективных возбуждений и основного состояния низкоразмерных систем :
$b: автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.02
$c: Воронова Нина Сергеевна; [Место защиты: Ин-т спектроскопии РАН]
260
##
$a: Москва
$c: 2012
300
##
$a: 26 с.
650
#1
$a: Теоретическая физика
$2: nsnr
650
#1
$a: Физико-математические науки -- Физика -- Физика твердого тела. Кристаллография -- Физика полупроводников -- Структура полупроводников. Кристаллическая решетка полупроводников -- Дефекты -- Возбужденные состояния. Центры поглощения -- Экситоны. Экситонные уровни
$2: rubbk
720
1#
$a: Институт спектроскопии Российской Академии Наук
787
11
$w: 005529308
$i: Диссертация
852
##
$a: РГБ
$b: FB
$j: 9 12-5/3435
$x: 90
856
11
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01005000000/rsl01005052000/rsl01005052967/rsl01005052967.pdf
$y: Читать
977
##
$a: dlopen
$b: dlrgb
$c: osk
$d: Отдел сканирования
979
##
$a: autoref
$b: Каталог авторефератов диссертаций
$c: rgb
979
##
$a: dlopen
Вы находитесь на новой версии портала Национальной Электронной Библиотеки. Если вы хотите воспользоваться старой версией, перейдите по ссылке .