Гетероэпитаксия ZnTe, CdTe и твердых растворов CdHgTe на подложках GaAs и Si : диссертация . доктора физико-математических наук : 01.04.10
Новосибирск, 2011
Гетероэпитаксия ZnTe, CdTe и твердых растворов CdHgTe на подложках GaAs и Si : диссертация . доктора физико-математических наук : 01.04.10
Новосибирск, 2011
В полном объеме текст документа доступен в электронных читальных залах библиотек-участников НЭБ
Библиографическое описание
Скопировать
Якушев, Максим Витальевич. Гетероэпитаксия ZnTe, CdTe и твердых растворов CdHgTe на подложках GaAs и Si : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.10 / Якушев Максим Витальевич; [Место защиты: Ин-т физики полупроводников Объед. ин-та физики полупроводников СО РАН]. — Новосибирск, 2011. — 251 с. : ил..
Детальная информация
Код документа в НЭБ
000199_000009_005088024
Автор(ы)
Заглавие
Гетероэпитаксия ZnTe, CdTe и твердых растворов CdHgTe на подложках GaAs и Si : диссертация . доктора физико-математических наук : 01.04.10
Место издания
Новосибирск
Год издания
2011
Объем
251 с.
Ответственность
Якушев Максим Витальевич; [Место защиты: Ин-т физики полупроводников Объед. ин-та физики полупроводников СО РАН]
Язык
Русский
Еще
Библиотека
LDR
01788nam a2200313 i 4500
001
005088024
003
RuMoRGB
005
20121031135446.0
008
120412s2011 ru |||| a |00 u rus d
017
##
$a: 05201152506
$b: RuMoVNTIC
$a: 05201152506
$b: RuMoVNTIC
017
##
$a: д20329-12
$b: RuMoRGB
$a: д20329-12
$b: RuMoRGB
035
##
$a: (RuMoVNTIC)-05201152506
$a: (RuMoVNTIC)-05201152506
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
041
##
$a: rus
$a: rus
072
#1
$a: 01.04.10
$a: 01.04.10
100
1#
$a: Якушев, Максим Витальевич
$a: Якушев, Максим Витальевич
245
##
$a: Гетероэпитаксия ZnTe, CdTe и твердых растворов CdHgTe на подложках GaAs и Si :
$b: диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.10
$c: Якушев Максим Витальевич; [Место защиты: Ин-т физики полупроводников Объед. ин-та физики полупроводников СО РАН]
$a: Гетероэпитаксия ZnTe, CdTe и твердых растворов CdHgTe на подложках GaAs и Si :
$b: диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.10
$c: Якушев Максим Витальевич; [Место защиты: Ин-т физики полупроводников Объед. ин-та физики полупроводников СО РАН]
260
##
$a: Новосибирск
$c: 2011
$a: Новосибирск
$c: 2011
300
##
$a: 251 с.
$b: ил.
$a: 251 с.
$b: ил.
504
##
$a: Библиогр.: с. 233-251
$a: Библиогр.: с. 233-251
650
#1
$a: Физика полупроводников
$a: Физика полупроводников
720
1#
$a: Институт физики полупроводников Объединенного института физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук
$a: Институт физики полупроводников Объединенного института физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук
787
11
$i: Автореферат
$w: 004853298
$i: Автореферат
$w: 004853298
852
1#
$a: РГБ
$b: OD
$c: HL03
$j: 71 12-1/93
$x: 39
$a: РГБ
$b: OD
$c: HL03
$j: 71 12-1/93
$x: 39
856
11
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01005000000/rsl01005088000/rsl01005088024/rsl01005088024.pdf
$y: Читать
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01005000000/rsl01005088000/rsl01005088024/rsl01005088024.pdf
$y: Читать
LKR
##
$a: PAR
$b: 004853298
$l: RSL01
$m: Диссертация
$n: Автореферат
$a: PAR
$b: 004853298
$l: RSL01
$m: Диссертация
$n: Автореферат
Национальная электронная библиотека (НЭБ) предлагает Вам ознакомиться с подробной информацией о документе: « Гетероэпитаксия ZnTe, CdTe и твердых растворов CdHgTe на подложках GaAs и Si : диссертация . доктора физико-математических наук : 01.04.10 » , автор — Якушев М.В.. Документ был опубликован в 2011 году. Место издания — Новосибирск. Электронный ресурс – электронная копия документа предоставлена в НЭБ библиотекой "Российская государственная библиотека". Фонд библиотеки расположен по адресу: 119019, Москва, ул. Воздвиженка, 3/5. На сайте rusneb.ru Вы можете читать онлайн оцифрованную версию документа « Гетероэпитаксия ZnTe, CdTe и твердых растворов CdHgTe на подложках GaAs и Si : диссертация . доктора физико-математических наук : 01.04.10 » в удобной системе просмотра документов.