Механизмы тока и процессы рекомбинации носителей заряда в SiC p-n-структурах
Механизмы тока и процессы рекомбинации носителей заряда в SiC p-n-структурах
Санкт-Петербург
Место издания
1992
Год издания
Описание документа
Код документа в НЭБ
000199_000009_007844444
Каталог
Автор
Стрельчук Анатолий Маркович
Заглавие
Механизмы тока и процессы рекомбинации носителей заряда в SiC p-n-структурах
Место издания
Санкт-Петербург
Год издания
1992
Ответственность
Физ.-техн. ин-т
Язык
Русский
Еще
Ключевые слова
Стрельчук
Библиотека
017
##
$a: д5220-93
$b: RuMoRGB
$a: д5220-93
$b: RuMoRGB
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
041
##
$a: rus
$a: rus
072
#1
$a: 01.04.10
$2: nsnr
$a: 01.04.10
$2: nsnr
084
##
$a: В379.271.21,03
$2: rubbk
$a: В379.271.21,03
$2: rubbk
084
##
$a: В379.271.3,03
$2: rubbk
$a: В379.271.3,03
$2: rubbk
100
1#
$a: Стрельчук, Анатолий Маркович
$a: Стрельчук, Анатолий Маркович
245
##
$a: Механизмы тока и процессы рекомбинации носителей заряда в SiC p-n-структурах :
$b: диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
$c: Физ.-техн. ин-т
$a: Механизмы тока и процессы рекомбинации носителей заряда в SiC p-n-структурах :
$b: диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10
$c: Физ.-техн. ин-т
260
##
$a: Санкт-Петербург
$c: 1992
$a: Санкт-Петербург
$c: 1992
300
##
$a: 245 с.
$b: ил.
$a: 245 с.
$b: ил.
504
##
$a: Библиогр.: с. 224-243
$a: Библиогр.: с. 224-243
650
#1
$a: Физика полупроводников и диэлектриков
$2: nsnr
$a: Физика полупроводников и диэлектриков
$2: nsnr
787
11
$w: 000054647
$i: Автореферат
$w: 000054647
$i: Автореферат
852
1#
$a: РГБ
$b: OD
$j: 61 93-1/367
$x: 81
$a: РГБ
$b: OD
$j: 61 93-1/367
$x: 81
979
##
$a: disser
$b: Каталог диссертаций
$c: rgb
$a: disser
$b: Каталог диссертаций
$c: rgb
LKR
##
$a: PAR
$l: RSL01
$b: 000054647
$m: Диссертация
$n: Автореферат
$a: PAR
$l: RSL01
$b: 000054647
$m: Диссертация
$n: Автореферат