Псевдоморфные квантовые ямы AlGaAs/InGaAs/GaAs с составной структурой барьерного слоя и комбинированным легированием : : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 05.27.01
Псевдоморфные квантовые ямы AlGaAs/InGaAs/GaAs с составной структурой барьерного слоя и комбинированным легированием : : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 05.27.01
Москва
Место издания
2021
Год издания
Описание документа
Код документа в НЭБ
000199_000009_011081611
Каталог
Автор
Сафонов Д.А.
Заглавие
Псевдоморфные квантовые ямы AlGaAs/InGaAs/GaAs с составной структурой барьерного слоя и комбинированным легированием : : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 05.27.01
Место издания
Москва
Год издания
2021
Объем
28 с.
Ответственность
Сафонов Данил Андреевич; [Место защиты: ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»]
ББК
В379.271.5,03, З852-01с3,0
Ключевые слова
PHEMT структуры, квантовый электронный транспорт, транзисторы, интегральные микросхемы
Библиотека
Портал НЭБ предлагает вам скачать или читать онлайн диссертацию (автореферат) на тему «Псевдоморфные квантовые ямы AlGaAs/InGaAs/GaAs с составной структурой барьерного слоя и комбинированным легированием : : автореферат дис. .. кандидата физико-математических наук : 05.27.01» ББК:В379.271.5,03, З852-01с3,0, автора Сафонов Д.А. Документ был издан в 2021 году. Содержит 28 с.
Выражаем благодарность библиотеке «Российская государственная библиотека (РГБ)» за предоставленный материал.
017
##
$a: АР-П-22-004114
$b: RuMoRKP
$a: АР-П-22-004114
$b: RuMoRKP
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
041
##
$a: rus
$a: rus
072
#1
$a: 05.27.01
$2: nsnr
$a: 05.27.01
$2: nsnr
084
##
$a: В379.271.5,03
$2: rubbk
$a: В379.271.5,03
$2: rubbk
084
##
$a: З852-01с3,0
$2: rubbk
$a: З852-01с3,0
$2: rubbk
100
1#
$a: Сафонов, Данил Андреевич
$a: Сафонов, Данил Андреевич
245
##
$a: Псевдоморфные квантовые ямы AlGaAs/InGaAs/GaAs с составной структурой барьерного слоя и комбинированным легированием :
$b: автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 05.27.01
$c: Сафонов Данил Андреевич; [Место защиты: ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»]
$a: Псевдоморфные квантовые ямы AlGaAs/InGaAs/GaAs с составной структурой барьерного слоя и комбинированным легированием :
$b: автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 05.27.01
$c: Сафонов Данил Андреевич; [Место защиты: ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»]
260
##
$a: Москва
$c: 2021
$a: Москва
$c: 2021
300
##
$a: 28 с.
$a: 28 с.
541
1#
$b: https://vak.minobrnauki.gov.ru/advert_independent/91912564002
$c: D11-9175
$d: 20220502
$e: 2022.06.02
$b: https://vak.minobrnauki.gov.ru/advert_independent/91912564002
$c: D11-9175
$d: 20220502
$e: 2022.06.02
650
#1
$a: Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
$2: nsnr
$a: Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
$2: nsnr
650
#1
$a: Физико-математические науки -- Физика -- Физика твёрдого тела. Кристаллография -- Физика полупроводников и диэлектриков -- Физика полупроводников -- Электрические и магнитные свойства полупроводников -- Электрические явления при контакте полупроводников с полупроводниками, металлами и диэлектриками. Гетероструктуры
$2: rubbk
$a: Физико-математические науки -- Физика -- Физика твёрдого тела. Кристаллография -- Физика полупроводников и диэлектриков -- Физика полупроводников -- Электрические и магнитные свойства полупроводников -- Электрические явления при контакте полупроводников с полупроводниками, металлами и диэлектриками. Гетероструктуры
$2: rubbk
650
#1
$a: Техника. Технические науки -- Радиоэлектроника -- Полупроводниковые приборы -- Исследование -- Физические методы
$2: rubbk
$a: Техника. Технические науки -- Радиоэлектроника -- Полупроводниковые приборы -- Исследование -- Физические методы
$2: rubbk
653
##
$a: PHEMT структуры
$a: PHEMT структуры
653
##
$a: квантовый электронный транспорт
$a: квантовый электронный транспорт
653
##
$a: транзисторы, интегральные микросхемы
$a: транзисторы, интегральные микросхемы
720
1#
$a: ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
$a: ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
787
11
$w: 011118118
$i: Диссертация
$w: 011118118
$i: Диссертация
852
1#
$a: РГБ
$b: OD
$j: 9 22-1/307
$x: 81
$a: РГБ
$b: OD
$j: 9 22-1/307
$x: 81
856
11
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01011000000/rsl01011081000/rsl01011081611/rsl01011081611.pdf
$y: Читать
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01011000000/rsl01011081000/rsl01011081611/rsl01011081611.pdf
$y: Читать
977
##
$a: dlopen
$b: dlmisc
$c: od
$d: Отдел диссертаций
$a: dlopen
$b: dlmisc
$c: od
$d: Отдел диссертаций
979
##
$a: autoref
$b: Каталог авторефератов диссертаций
$c: rgb
$a: autoref
$b: Каталог авторефератов диссертаций
$c: rgb
979
##
$a: dlopen
$a: dlopen