Вы находитесь на новой версии портала Национальной Электронной Библиотеки. Если вы хотите воспользоваться старой версией, перейдите по ссылке .
Версия для слепых
Исследование широкозонных полупроводников GaN, AlN и структур на их основе методом комбинационного рассеяния света Автореф. дис. на соиск. учен. степ. к.ф.-м.н. Спец. 01.04.07
«Исследование широкозонных полупроводников GaN, AlN и структур на их основе методом комбинационного рассеяния света Автореф. дис. на соиск. учен. степ. к.ф.-м.н. Спец. 01.04.07» — Смирнов А. Н. — издание: 2001
Смирнов Александр Николаевич

Исследование широкозонных полупроводников GaN, AlN и структур на их основе методом комбинационного рассеяния света Автореф. дис. на соиск. учен. степ. к.ф.-м.н. Спец. 01.04.07

Смирнов А. Н.
24 с.
Количество страниц
Год издания
Санкт-Петербург
Место издания

О произведении

ББК
29.19, 22.33, 01.04.07
УДК
537.3/1.322
Язык
Русский
Библиотека
Российская национальная библиотека (РНБ)

Другие издания