Версия для слепых
Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе Si/SiO2/Ti : : диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.01
Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе Si/SiO2/Ti : : диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.01

Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе Si/SiO2/Ti : : диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.01

В полном объеме текст документа доступен в электронных читальных залах библиотек-участников НЭБ
Таганрог
Место издания
Год издания

Описание документа

Код документа в НЭБ
000199_000009_004101962
Автор
Смирнов В.А.
Заглавие
Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе Si/SiO2/Ti : : диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.01
Место издания
Таганрог
Год издания
2008
Объем
148 с.
Ответственность
Смирнов Владимир Александрович; [Место защиты: Юж. федер. ун-т]

Другие диссертации автора

Посмотреть все произведения автора

Портал НЭБ предлагает вам читать онлайн в Электронном Читальном Зале (ЭЧЗ) диссертацию (автореферат) на тему «Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе Si/SiO2/Ti : : диссертация .. кандидата технических наук : 05.27.01» , автора Смирнов В.А. Документ был издан в 2008 году. Содержит 148 с.

Выражаем благодарность библиотеке «Российская государственная библиотека (РГБ)» за предоставленный материал.

MARC-запись (MARC21)

017
##
$a: д7042-08
$b: RuMoRGB
017
##
$a: 04200815272
$b: RuMoVNTIC
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
041
##
$a: rus
072
#1
$a: 05.27.01
$2: nsnr
100
1#
$a: Смирнов, Владимир Александрович
245
##
$a: Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе Si/SiO2/Ti :
$b: диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.01
$c: Смирнов Владимир Александрович; [Место защиты: Юж. федер. ун-т]
260
##
$a: Таганрог
$c: 2008
300
##
$a: 148 с.
$b: ил.
504
##
$a: Библиогр.: с. 133-143
650
#1
$a: Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро - и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
$2: nsnr
720
1#
$a: Южный федеральный университет
787
11
$w: 003445113
$i: Автореферат
852
1#
$a: РГБ
$b: OD
$j: 61 08-5/1005
$x: 81
856
11
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01004000000/rsl01004101000/rsl01004101962/rsl01004101962.pdf
$y: Читать
977
##
$a: dllocal
$b: dlrgb
$c: osk
$d: Отдел сканирования
979
##
$a: disser
$b: Каталог диссертаций
$c: rgb
979
##
$a: dllocal
LKR
##
$a: PAR
$l: RSL01
$b: 003445113
$m: Диссертация
$n: Автореферат
Вы находитесь на новой версии портала Национальной Электронной Библиотеки. Если вы хотите воспользоваться старой версией, перейдите по ссылке .