Исследование и разработка щелевого реактора с удлиненным подложкодержателем для эпитаксиального наращивания кремния на одиночных подложках : : диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.06
Исследование и разработка щелевого реактора с удлиненным подложкодержателем для эпитаксиального наращивания кремния на одиночных подложках : : диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.06
2012
Год издания
Описание документа
Код документа в НЭБ
000199_000009_005467932
Автор
Кравченко А.А.
Заглавие
Исследование и разработка щелевого реактора с удлиненным подложкодержателем для эпитаксиального наращивания кремния на одиночных подложках : : диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.06
Год издания
2012
Библиотека
Российская государственная библиотека (РГБ)
Еще
Портал НЭБ предлагает вам читать онлайн в Электронном Читальном Зале (ЭЧЗ) диссертацию (автореферат) на тему «Исследование и разработка щелевого реактора с удлиненным подложкодержателем для эпитаксиального наращивания кремния на одиночных подложках : : диссертация .. кандидата технических наук : 05.27.06» , автора Кравченко А.А. Документ был издан в 2012 году.
Выражаем благодарность библиотеке «Российская государственная библиотека (РГБ)» за предоставленный материал.
017
##
$a: д13386-12
$b: RuMoRGB
$a: д13386-12
$b: RuMoRGB
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
041
##
$a: rus
$a: rus
072
#1
$a: 05.27.06
$2: nsnr
$a: 05.27.06
$2: nsnr
100
1#
$a: Кравченко, Анатолий Анатольевич
$a: Кравченко, Анатолий Анатольевич
245
##
$a: Исследование и разработка щелевого реактора с удлиненным подложкодержателем для эпитаксиального наращивания кремния на одиночных подложках :
$b: диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.06
$c: Кравченко Анатолий Анатольевич; [Место защиты: Нац. исслед. ун-т МИЭТ]
$a: Исследование и разработка щелевого реактора с удлиненным подложкодержателем для эпитаксиального наращивания кремния на одиночных подложках :
$b: диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.06
$c: Кравченко Анатолий Анатольевич; [Место защиты: Нац. исслед. ун-т МИЭТ]
260
##
$a: Москва
$c: 2012
$a: Москва
$c: 2012
300
##
$a: 173 с.
$b: ил.
$a: 173 с.
$b: ил.
504
##
$a: Библиогр.: с. 156-167
$a: Библиогр.: с. 156-167
650
#1
$a: Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
$2: nsnr
$a: Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
$2: nsnr
787
11
$w: 005019334
$i: Автореферат
$w: 005019334
$i: Автореферат
852
1#
$a: РГБ
$b: OD
$j: 61 12-5/2531
$x: 81
$a: РГБ
$b: OD
$j: 61 12-5/2531
$x: 81
856
11
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01005000000/rsl01005467000/rsl01005467932/rsl01005467932.pdf
$y: Читать
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01005000000/rsl01005467000/rsl01005467932/rsl01005467932.pdf
$y: Читать
977
##
$a: dllocal
$b: dlrgb
$c: osk
$d: Отдел сканирования
$a: dllocal
$b: dlrgb
$c: osk
$d: Отдел сканирования
979
##
$a: disser
$b: Каталог диссертаций
$c: rgb
$a: disser
$b: Каталог диссертаций
$c: rgb
979
##
$a: dllocal
$a: dllocal
LKR
##
$a: PAR
$l: RSL01
$b: 005019334
$m: Диссертация
$n: Автореферат
$a: PAR
$l: RSL01
$b: 005019334
$m: Диссертация
$n: Автореферат