Моделирование концентрационных профилей компонентов в низкоразмерных гетероструктурах InGaAs/(Al)GaAs, формируемых методом МОС-гидридной эпитаксии : : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.06
Моделирование концентрационных профилей компонентов в низкоразмерных гетероструктурах InGaAs/(Al)GaAs, формируемых методом МОС-гидридной эпитаксии : : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.06
Москва
Место издания
2004
Год издания
Описание документа
Код документа в НЭБ
000199_000009_002769296
Каталог
Автор
Андреев А.Ю.
Заглавие
Моделирование концентрационных профилей компонентов в низкоразмерных гетероструктурах InGaAs/(Al)GaAs, формируемых методом МОС-гидридной эпитаксии : : автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.06
Место издания
Москва
Год издания
2004
Объем
23 с.
Ответственность
Моск. гос. акад. тонкой хим. технологии им. М.В. Ломоносова
ББК
В379.271.5,0, З86-531.8-06,0
Библиотека
Портал НЭБ предлагает вам скачать или читать онлайн диссертацию (автореферат) на тему «Моделирование концентрационных профилей компонентов в низкоразмерных гетероструктурах InGaAs/(Al)GaAs, формируемых методом МОС-гидридной эпитаксии : : автореферат дис. .. кандидата технических наук : 05.27.06» ББК:В379.271.5,0, З86-531.8-06,0, автора Андреев А.Ю. Документ был издан в 2004 году. Содержит 23 с.
Выражаем благодарность библиотеке «Российская государственная библиотека (РГБ)» за предоставленный материал.
017
##
$a: 04-22621А
$b: RuMoRKP
$a: 04-22621А
$b: RuMoRKP
035
##
$a: (RuMoRGB)DIS-0620216
$a: (RuMoRGB)DIS-0620216
040
##
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
$a: RuMoRGB
$b: rus
$c: RuMoRGB
041
##
$a: rus
$a: rus
072
#1
$a: 05.27.06
$2: nsnr
$a: 05.27.06
$2: nsnr
084
##
$a: В379.271.5,0
$2: rubbk
$a: В379.271.5,0
$2: rubbk
084
##
$a: З86-531.8-06,0
$2: rubbk
$a: З86-531.8-06,0
$2: rubbk
100
1#
$a: Андреев, Андрей Юрьевич
$a: Андреев, Андрей Юрьевич
245
##
$a: Моделирование концентрационных профилей компонентов в низкоразмерных гетероструктурах InGaAs/(Al)GaAs, формируемых методом МОС-гидридной эпитаксии :
$b: автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.06
$c: Моск. гос. акад. тонкой хим. технологии им. М.В. Ломоносова
$a: Моделирование концентрационных профилей компонентов в низкоразмерных гетероструктурах InGaAs/(Al)GaAs, формируемых методом МОС-гидридной эпитаксии :
$b: автореферат дис. ... кандидата технических наук : 05.27.06
$c: Моск. гос. акад. тонкой хим. технологии им. М.В. Ломоносова
260
##
$a: Москва
$c: 2004
$a: Москва
$c: 2004
300
##
$a: 23 с.
$a: 23 с.
650
#1
$a: Физика полупроводников и диэлектриков -- Физика полупроводников -- Электрические свойства -- Электрические явления при контакте полупроводников с полупроводниками, металлами и диэлектриками
$2: rubbk
$a: Физика полупроводников и диэлектриков -- Физика полупроводников -- Электрические свойства -- Электрические явления при контакте полупроводников с полупроводниками, металлами и диэлектриками
$2: rubbk
650
#1
$a: Квантовая электроника -- Лазеры, лазерные диоды -- Полупроводниковые лазерные диоды -- Производство
$2: rubbk
$a: Квантовая электроника -- Лазеры, лазерные диоды -- Полупроводниковые лазерные диоды -- Производство
$2: rubbk
650
#1
$a: Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
$2: nsnr
$a: Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
$2: nsnr
720
1#
$a: Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова
$a: Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова
787
11
$w: 002740538
$i: Диссертация
$w: 002740538
$i: Диссертация
852
1#
$a: РГБ
$b: FB
$c: T026
$j: 9 04-11/1428-9
$x: 82
$a: РГБ
$b: FB
$c: T026
$j: 9 04-11/1428-9
$x: 82
852
1#
$a: РГБ
$b: FB
$c: D13N
$j: 9 04-11/1427-0
$x: 90
$a: РГБ
$b: FB
$c: D13N
$j: 9 04-11/1427-0
$x: 90
856
11
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01002000000/rsl01002769000/rsl01002769296/rsl01002769296.pdf
$y: Читать
$q: application/pdf
$u: http://dlib.rsl.ru/rsl01002000000/rsl01002769000/rsl01002769296/rsl01002769296.pdf
$y: Читать
977
##
$a: dlopen
$b: dlrgb
$c: osk
$d: Отдел сканирования
$a: dlopen
$b: dlrgb
$c: osk
$d: Отдел сканирования
979
##
$a: autoref
$b: Каталог авторефератов диссертаций
$c: rgb
$a: autoref
$b: Каталог авторефератов диссертаций
$c: rgb
979
##
$a: dlopen
$a: dlopen